2024年4月16日发(作者：)

如何辨别内存条的型号及大小

A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生

产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数

字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周

生产的。

C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频

率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合

来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR43

3（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DD

R333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代

表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3

-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。

D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、

工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。

D部分编号12个小部分分解示意图

采用现代颗粒的内存颗粒特写

第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产

制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”

表示为SDRAM内存。

1 / 3

第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ

=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代

表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。

第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，

分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：

64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4

K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512

MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。

第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、

8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。

第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 ba

nk，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank。

第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，

“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18。

第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置

越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空

白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。购买内存的时

候版本越说明新电器性能越好。

第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部

2 / 3

分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗。

第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP封装，

“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封

装。

第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表Hynix；K

代表M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC）。

第12部分代表封装材料，由一个字母组成。空白表示普通，“P”代表铅，“H”代表

卤素，“R”代表铅和卤素。

总的说来，其实只要记住第2、3、6和C部分等几处数字的实际含义，就能很轻松对

使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是C部分数字，它将很明确的告

诉你,这款内存实际的最高工作状态是多少。

3 / 3