2024年6月6日发(作者：)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN2.8
(22)申请日 2003.12.18
(71)申请人 克里公司
地址 美国北卡罗来纳州
(72)发明人 K·W·哈伯雷恩 R·罗萨多 M·J·伯格曼恩 D·T·埃梅森
(74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司
代理人 张雪梅
(51)
H01S5/028
H01S5/323
(10)申请公布号 CN 1726624 A
(43)申请公布日 2006.01.25
权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
形成包括平台结构和多层钝化层的
半导体器件和相关器件的方法
(57)摘要
一种形成半导体器件的方法，包括
在衬底上形成半导体结构，其中，该半导
体结构定义了具有与衬底相对的平台表面
和在平台表面和衬底之间平台侧壁的平
台。可以在平台侧壁的至少部分上和与平
台侧壁相邻的衬底上形成第一钝化层，其
中，平台表面的至少部分没有第一钝化
层，且其中，第一钝化层包括第一材料。
第二钝化层可以在第一钝化层上形成，其
中平台表面至少部分没有第二钝化层，其
中，第二钝化层包括不同于第一材料的第
二材料。相关的器件也有所讨论。
法律状态
法律状态公告日
2010-05-26
2006-03-22
2006-01-25
法律状态信息
授权
实质审查的生效
公开
法律状态
授权
实质审查的生效
公开
权 利 要 求 说 明 书
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：
在衬底上形成半导体结构，该半导体结构定义了平台，该平台具有与衬底相对的平
台表面和位于平台表面和衬底之间的平台侧壁；
在平台侧壁的至少部分上和相邻于平台侧壁的衬底上形成第一钝化层，其中，平台
表面的至少部分没有第一钝化层，并且其中第一钝化层包括第一材料；和
在第一钝化层上形成第二钝化层，其中，平台表面的至少部分没有第二钝化层，其
中，第二钝化层包括不同于第一材料的第二材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，与平台表面相邻的第一钝化层的至少部分不
被第二钝化层覆盖。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，第一钝化层和第二钝化层的组合厚度大于平
台厚度。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，第一钝化层的厚度大于平台厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在没有第一和第二钝化层的平台表面的部分上形成接触层。
6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：
在接触层上形成金属层，其中该金属层在与衬底相对的第二钝化层的至少部分上延
伸。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，金属层和接触层包括不同材料。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，第一钝化层的部分在与衬底相对的接触层的
表面部分上延伸。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，接触层的部分在与衬底相对的第一和/或第二
钝化层中的至少一个的部分上延伸。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，第一材料包括氧化铝。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，第二材料包括氮化硅。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，半导体结构包括P型层和N型层，其中，P
型层和/或N型层的至少部分包含在平台内。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成第二钝化层之前平台表面的至少部
分没有第一钝化层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成第二钝化层包括在第一钝化层上和没
有第一钝化层的平台表面的至少部分上形成第二钝化层，并且在第二钝化层的部分
中形成孔，暴露没有第一钝化层的平台表面的至少部分和暴露与平台表面相邻的第
一钝化层的部分。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成第二钝化层的部分中的孔包括使用刻
蚀化学物质刻蚀第二钝化层，该刻蚀化学物质相对于第一钝化层的第一材料优先刻
蚀第二钝化层的第二材料。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一钝化层包括形成跨越平台表面的
第一钝化层，并且其中，形成第二钝化层包括形成跨越平台表面的第二钝化层，使
得第一和第二钝化层跨越平台表面堆叠，其中，形成第二钝化层包括在第二钝化层
中形成孔以暴露与平台表面相对的第一钝化层的部分，并且其中，形成第一钝化层
包括在形成第二钝化层中的孔之后，形成第一钝化层中的孔以暴露平台表面的至少
部分。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在第二钝化层部分中形成孔包括使用刻蚀
化学物质刻蚀第二钝化层，该刻蚀化学物质相对于第一钝化层的第一材料优先刻蚀
第二钝化层的第二材料。
18.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一钝化层之前：
在平台表面上形成接触层。
19.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第二钝化层之后：
在没有第一和第二钝化层的平台表面的至少部分上形成接触层。
20.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：
在衬底上形成半导体结构，该半导体结构定义了平台，该平台具有与衬底相对的平
台表面和位于平台表面和衬底之间的平台侧壁；以及
在平台侧壁上和相邻于平台侧壁的衬底上形成钝化层，钝化层中有通孔使得平台表
面的至少部分没有钝化层，该通孔定义了阶梯式轮廓使得该通孔的第一部分具有第
一宽度，且该通孔的第二部分具有不同于第一宽度的第二宽度。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，阶梯式轮廓包括台阶区域，该台阶区域位
于具有第一和第二宽度的通孔的第一和第二部分之间。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，台阶部分基本与衬底平行。
23.根据权利要求20所述的方法，其中，具有第一宽度的通孔的第一部分位于具有
第二宽度的通孔的第二部分和平台表面之间，其中，第二宽度大于第一宽度。
24.根据权利要求20所述的方法，其中，钝化层包括由第一材料形成的第一钝化层
和由不同于第一材料的第二材料形成的第二钝化层，并且其中通孔的第一部分穿透
第一层的至少部分，且其中通道孔的第二部分穿透第二层的至少部分。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，形成钝化层包括使用刻蚀化学物质刻蚀由
第二材料形成的第二层，该刻蚀化学物质相对于第一层的第一材料优先刻蚀第二层
的第二材料。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，在由第二材料形成第二层之前，形成穿透
第一层至少部分的通孔的第一部分。
27.根据权利要求25所述的方法，其中，在由第二材料形成第二层之后，穿透第一
层的至少部分形成通孔的第一部分。
28.根据权利要求24所述的方法，其中，第一钝化层的厚度大于平台厚度。
29.根据权利要求24所述的方法，其中，第一材料包括氧化铝。
30.根据权利要求24所述的方法，其中，第二材料包括氮化硅。
31.根据权利要求20所述的方法，进一步包括：
在没有钝化层的平台表面的至少部分上形成接触层。
32.根据权利要求31所述的方法，进一步包括：
在接触层上和钝化层的至少部分上形成金属层。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，接触层和金属层包括不同的材料。
34.根据权利要求31所述的方法，其中，钝化层的部分在与平台表面相对的接触层
的部分上延伸。
35.根据权利要求31所述的方法，其中，接触层延伸到与衬底相对的钝化层的至少
部分上。
36.根据权利要求20所述的方法，其中，半导体结构包括P型层和N型层，其中，
P型层和/或N型层的至少部分包含在平台中。
37.一种半导体器件包括：
衬底；
衬底上的半导体结构，该半导体结构定义了平台，该平台具有平台表面和位于平台
表面和衬底之间的平台侧壁；
在平台侧壁的至少部分上和相邻于平台侧壁的衬底上的第一钝化层，其中，平台表
面的至少部分没有第一钝化层，且其中第一钝化层包括第一材料；和
在第一钝化层上的第二钝化层，其中，平台表面的至少部分没有第二钝化层，并且
其中，第二钝化层包括不同于第一材料的第二材料。
38.根据权利要求37所述的半导体器件，其中，相邻于平台表面的第一钝化层的至
少部分不被第二钝化层覆盖。
39.根据权利要求37所述的半导体器件，其中，第一和第二钝化层的组合厚度大于
平台厚度。
40.根据权利要求39所述的半导体器件，其中，第一钝化层的厚度大于平台厚度。
41.根据权利要求37所述的半导体器件，进一步包括：
没有第一和第二钝化层的平台表面的部分上的接触层。
42.根据权利要求41所述的半导体器件，进一步包括：
接触层上的金属层，其中，该金属层在与衬底相对的第二钝化层的至少部分上延伸。
43.根据权利要求42所述的半导体器件，其中，金属层和接触层包括不同的材料。
44.根据权利要求41所述的半导体器件，其中，第一钝化层的部分在与衬底相对的
接触层表面的部分上延伸。
45.根据权利要求41所述的半导体器件，其中，接触层的部分在与衬底相对的第一
和/或第二钝化层中至少一个的部分上延伸。
46.根据权利要求37所述的半导体器件，其中，第一材料包括氧化铝。
47.根据权利要求37所述的半导体器件，其中，第二材料包括氮化硅。
48.根据权利要求37所述的半导体器件，其中，半导体结构包括P型层和N型层，
其中，P型层和/或N型层的至少部分包含在平台中。
49.根据权利要求37所述的半导体器件，其中，第一和第二钝化层定义了阶梯式轮
廓，该阶梯式轮廓相邻于没有第一和第二钝化层的平台表面的至少部分。
50.根据权利要求37所述的半导体器件，其中，第二材料包括使用预定的刻蚀化学
物质能相对于第一材料优先被刻蚀的材料。
51.一种半导体器件，包括：
衬底；
衬底上的半导体结构，该半导体结构定义了平台，该平台具有平台
表面和位于平台表面和衬底之间的平台侧壁；
在平台侧壁上和相邻于平台侧壁的衬底上的钝化层，该钝化层中具有通孔使得平台
表面的至少部分没有钝化层，该通孔定义了阶梯式轮廓使得该通孔的第一部分具有
第一宽度，且该通孔的第二部分具有不同于第一宽度的第二宽度。
52.根据权利要求51所述的半导体器件，其中，阶梯式轮廓包括位于具有第一和第
二宽度的通孔的第一和第二部分之间的台阶区域。
53.根据权利要求52所述的半导体器件，其中，台阶部分基本平行于衬底。
54.根据权利要求51所述的半导体器件，其中，具有第一宽度的通孔的第一部分位
于具有第二宽度的通孔的第二部分和平台表面之间，且其中第二宽度大于第一宽度。
55.根据权利要求51所述的半导体器件，其中，钝化层包括由第一材料形成的第一
钝化层和由不同于第一材料的第二材料形成的第二钝化层，其中通孔的第一部分穿
透第一层的至少部分，通孔的第二部分穿透第二层的至少部分。
56.根据权利要求55所述的半导体器件，其中，第一钝化层的厚度大于平台厚度。
57.根据权利要求55所述的半导体器件，其中，第一材料包括氧化铝。
58.根据权利要求55所述的半导体器件，其中，第二材料包括氮化硅。
59.根据权利要求55所述的半导体器件，其中，第二材料包括能够使用预定的刻蚀
化学物质相对于第一材料优先被刻蚀的材料。
60.根据权利要求51所述的半导体器件，进一步包括：
没有钝化层的平台表面的至少部分之上的接触层。
61.根据权利要求60所述的半导体器件，进一步包括接触层上和钝化层的至少部分
上的金属层。
62.根据权利要求61所述的半导体器件，其中，接触层和金属层包括不同材料。
63.根据权利要求60所述的半导体器件，其中，钝化层的部分在与平台表面相对的
接触层的部分上延伸。
64.根据权利要求60所述的半导体器件，其中，接触层在与衬底相对的钝化层的至
少部分上延伸。
65.根据权利要求51所述的半导体器件，其中，半导体结构包括P型层和N型层，
其中，P型层和/或N型层的至少部分包含在平台中。
说 明 书
相关专利申请
本申请要求以下申请的权益：在2002年12月20日提交的名为
“Laser Diode With Self-Aligned Index Guide And Via(具有自对准折射率波导和通路
的激光二极管)”的美国临时申请No.60/435213、于2002年12月20日提交的名为
“Laser Diode WithSurface Depressed Ridge Waveguide(表面凹脊波导激光二极管)”美
国临时申请No.60/434914、在2002年12月20日提交的名为
“LaserDiode With Etched Mesa Structure(具有刻蚀平台结构的激光二极管)”的美国临
时申请No.60/434999、以及在2002年12月20日提交的名为
“Laser Diode With Metal Current Spreading Layer(具有金属电流传输层的激光二极
管)”的美国临时申请No.60/435211。这些临时申请的公开均在此全部引用作为参考。
本申请还涉及以下申请：与本申请同时提交的名为
“Methods OfForming Semiconductor Devices Having Self AlignedSemiconductor Mesas
and Contact Layers And Related Devices(具有自对准半导体平台和接触层的半导体
器件及相关器件的形成方法”的)美国申请No.___(代理人案号No.5308-281)、与本
申请同时提交的名为
“Methods Of Forming Semiconductor Mesa StructureIncluding Self-
Aligned Contact Layers And Related Devices(包括自对准接触层的半导体平台结构及
相关器件的形成方法)”的美国申请No.___(代理人案号No.5308-280)；和与本申请
同时提交的名为
“Methods Of Forming Electronic Devices IncludingSemiconductor Mesa Structures And
Conductivity Junctions AndRelated Devices(包括半导体平台结构和导电结的电子器
件及相关器件的形成方法)”的美国申请No.___(代理人案号5308-283)。这些美国申
请的公开均在此处全部引用作为参考。
技术领域
本发明涉及电子领域，尤其涉及半导体器件及相关结构的形成方法。
背景技术
激光器是由光子受激发射产生相干单色光束的器件。光子的受激发射也可产生光学
增益，这使激光器产生的光束具有高的光学能量。很多材料能够产生激射效应，包
括某些高纯度晶体(常见的例子为红宝石)、半导体、某些种类的玻璃、某些气体以
及某些等离子体，所述气体包括二氧化碳、氮气、氩气和氖气。
最近，激光器在半导体材料领域中得到发展，使其具有尺寸更小，成本更低以及通
常与半导体器件相关的其它优点。半导体领域中，光子扮演主要角色的器件被称为
“光子”或“光电子”器件。反过来，光子器件包括发光二极管(LED)、光电探测器、
光伏器件和半导体激光器。
半导体激光器和其它激光器类似之处在于，其发射的辐射具有空间和时间相干性。
如前提及的，激光辐射具有高度单色性(即，带宽窄)，并且其产生高度方向性的光。
然而半导体激光器和其它激光器在很多方面不同。例如，在半导体激光器中，量子
跃迁与材料的能带特性有关；半导体激光器可以具有很紧凑的尺寸，可以具有很窄
的有源区和更大的激光束发散；半导体激光器的特性受结媒质的特性影响巨大；对
于P-N结激光器，由通过二极管本身的正向电流产生激射行为。大体说来，半导
体激光器可以提供通过调节流经器件的电流而控制的极为有效的系统。另外，因为
半导体激光器可以具有很短的光子寿命，它们可以用来产生高频调制。由此，这种
高频调制的紧凑尺寸和性能使半导体激光器成为光纤通讯的重要光源。
广义上说，半导体激光器的结构应该提供光学限制以产生可以发生光放大的共振腔，
以及电学限制以产生引发受激发射的高电流密度。另外，为产生激光效应(辐射的
受激发射)，半导体更应该是直接带隙材料而不是间接带隙材料。熟悉半导体特性
的技术人员应该知道，直接带隙材料是这样的一种材料：电子从价带到导带的跃迁
不需要改变电子的晶体动量。砷化镓和氮化镓是直接带隙半导体的例子。间接带隙
半导体中存在另一种情况；即，电子在价带和导带之间的跃迁需要改变晶体动量。
硅和碳化硅是这种间接带隙半导体的例子。
Sze的Physics of Semiconductor Devices，第二版(1981年)，704-742页中给出半导
体激光器的理论、结构和工作的有用解释，包括光学和电子制以及反射，这些页此
处全部引用作为参考。
例如LED和激光器的光子器件熟悉的技术人员知道，由给定半导体材料产生的电
磁辐射(即光子)的频率可以是材料带隙的函数。较小的带隙产生较低的能量、波长
更长的光子，而带隙较宽的材料产生能量较高，波长较短的光子。例如，一种通常
用于激光器的半导体是铝铟镓磷(AlInGaP)。因为该材料的带隙(实际上带隙范围依
赖于每种元素的摩尔或原子分数)，AlInGaP能够产生的光限制在可见光谱的红色
部分，即，大约600到700纳米(nm)。为了产生波长在光谱的蓝色或紫外部分的光
子，需要使用带隙相对大的半导体材料。III族氮化物材料，例如氮化镓(GaN)，)、
三元合金氮化铟镓(InGaN)，)、氮化铝镓(AlGaN)和氮化铝铟(AlInN)、以及四元合
金氮化铝镓铟(AlInGaN)，成为蓝光和紫外激光器的有利的候选材料，因为它们具
有相对大的带隙(GaN在室温下为3.36eV)。相应地，III族氮化物基激光二极管已
被证明发射370-420nm的光。
大量的共同转让的专利和待审查专利申请等讨论了光电子器件的设计和制造。例如，
美国专利No.6459100、6373077、6201262、6187，606、5912477和5416342描述
了各种氮化镓基光电子器件的方法和结构。美国专利No.5838706描述了低应力氮
化物激光二极管结构。公开的美国申请No.2和2描述了氮
化物基光电子器件的外延结构。各种金属接触结构和键合方法，包括倒装焊键合方
法，在名为“Flip-
Chip Bonding of Light Emitting Devicesand Light Emitting Devices Suitable for Flip-
Chip Bonding(发光器件的倒装焊和适合倒装焊的发光器件)”的公开的美国申请
No.030045015和公开的美国申请No.2、名为
“Bonding ofLight Emitting Diodes Having Shaped Substrates and Collets forBonding of
Light Emitting Diodes Having Shaped Substrates(具有成型衬底发光二极管的键合和
用于键合具有成型衬底发光二极管的底托)”的公开的美国申请No.2、以
及名为
“LightEmitting Diodes Including Modifications for Submount Bondingand Manufacturin
g Methods Therefor(包括热沉键合修改的发光二极管及其制造方法)”的公开的美国
申请No.2中有所描述。美国专利No.6,475,889中描述干法刻蚀方法。
在名为
“RobustGroup III Light Emitting Diode for High Reliability inStandard Packaging Appli
cations(标准封装应用中的高度可靠的III族发光二极管)”的美国申请No.08/920409
以及名称为
“RobustGroup III Light Emitting Diode for High Reliability inStandard Packaging Appli
cations”的公开的美国申请No.2中描述了氮化物光电子器件的钝化方法。
在名为
“Group III Nitride Based Light Emitting Diode Structures witha Quantum Well and Supe
rlattice，
Group III Nitride BasedQuantum Well Structures and Group III Nitride BasedSuperlattic
e Structures(III族氮化物基量子阱和超晶格的发光二极管结构，III族氮化物基量子
阱结构和III族氮化物基超晶格结构)”的公开的美国申请No.2，和名为
“Ultraviolet LightEmitting Diode(紫外发光二极管)”的公开的美国申请
No.2中描述适用于氮化物激光二极管的有源层结构。前面所有专利、
专利申请和公开的专利申请的内容在此全部引用作为参考，如同在此阐述了其全文
一样。
施加到包括半导体激光器的电子器件表面的应力和/或压力，可能毁坏提供激光器
和/或与其的电学耦合的半导体结构。
发明内容
根据本发明的实施例，半导体器件的形成方法包括在衬底上形成半导体结构，其中，
半导体结构定义了平台，该平台具有与衬底相对(即，远离)的平台表面和位于平台
表面和衬底之间的平台侧壁。可以在平台侧壁的至少部分上和与平台侧壁相邻的衬
底上形成第一钝化层，其中平台表面的至少部分没有第一钝化层，且其中第一钝化
层包括第一材料。另外，可以在第一钝化层上形成第二钝化层，其中平台表面的至
少部分没有第二钝化层，且其中第二钝化层包括不同于第一材料的第二材料。
而且，与平台表面相邻的第一钝化层的至少部分可以不被第二钝化层覆盖，第一和
第二钝化层的组合厚度可以大于平台的厚度。更特别的是，第一钝化层的厚度可以
大于平台的厚度。另外，可以在平台表面上没有第一和第二钝化层的部分形成接触
层，并且可以在接触层上形成金属层，其中金属层在与衬底相对的第二钝化层的至
少部分上延伸。而且，金属层和接触层可以包括不同的材料。
第一钝化层的部分可以在与衬底相对的接触层的表面的部分上延伸，或者备选地，
接触层的部分可以在与衬底相对的第一和/或第二钝化层中的至少一个的部分上延
伸。第一材料可以包括氧化铝，第二材料可以包括氮化硅。另外，半导体结构可以
包括P型层和N型层，其中，P型层和/或N型层的至少部分包括在平台中。
在形成第二钝化层之前平台表面的至少部分没有第一钝化层。更为特别地，可以在
第一钝化层上和没有第一钝化层的平台表面的至少部分上形成第二钝化层。另外，
在第二钝化层的部分中可以形成孔，以暴露没有第一钝化层的平台表面的至少部分
并暴露与平台表面相邻的第一钝化层的部分。
而且，可以跨越平台表面形成第一钝化层，并且可以跨越平台表面形成第二钝化层
使得第一和第二钝化层都跨越平台表面堆叠。然后在第二钝化层中形成孔以暴露与
平台表面相对的第一钝化层部分的，在第二钝化层中形成孔之后，在第一钝化层中
形成另一个孔以暴露平台表面的至少部分。在形成第一钝化层之前，可以在平台表
面上形成接触层。备选地，可以在形成第二钝化层之后，在没有第一和第二钝化层
的平台表面的至少部分上形成接触层。
根据本发明的另一个实施例，形成半导体器件的方法包括在衬底上形成半导体结构，
其中，半导体结构定义了具有平台表面和位于平台表面和衬底之间的平台侧壁的平
台。可以在平台侧壁和与平台侧壁相邻的衬底上形成钝化层，并且钝化层中可以具
有通孔，使得平台表面的至少部分没有钝化层。更为特别地，通孔可以定义阶梯式
轮廓(stair-step profile)，使得通孔的第一部分具有第一宽度且通道孔的第二部分具
有不同于第一宽度的第二宽度。
阶梯式轮廓可以包括位于通孔的具有第一和第二宽度的第一和第二部分之间的台阶
区域，台阶部分可以和衬底基本平行。具有第一宽度的通孔的第一部分可以位于具
有第二宽度的通孔的第二部分和平台表面之间，且第二宽度可以比第一宽度宽。钝
化层可以包括由第一材料形成的第一层和由不同于第一材料的第二材料形成的第二
层，通孔的第一部分可穿透第一层的至少部分，通孔的第二部分可以穿透第二层的
至少部分。特别是，第一钝化层的厚度可以比平台的厚度大。另外，第一材料可以
包括氧化铝，第二材料可以包括氮化硅。
可以在没有钝化层的平台表面的至少部分上形成接触层，并且可以在接触层上和钝
化层的至少部分上形成金属层。接触层和金属层可以包括不同材料，钝化层的部分
可以在与平台表面相对的接触层的部分上延伸。备选地，接触层可以延伸到与衬底
相对的钝化层至少部分上。而且，该半导体结构可以包括P型层和N型层，其中，
P型层和/或N型层的至少部分包括在平台中。
根据本发明的另一个实施例，半导体器件可以包括衬底上的半导体结构，其中，半
导体结构定义了具有平台表面和位于平台表面和衬底之间的平台侧壁的平台。第一
钝化层可以在平台侧壁的至少部分上和与平台侧壁相邻的衬底上，其中平台表面的
至少部分没有第一钝化层，且其中第一钝化层包括第一材料。第二钝化层可以在第
一钝化层上，其中平台表面的至少部分没有第二钝化层，且其中第二钝化层包括不
同于第一材料的第二材料。
相邻于平台表面的第一钝化层的至少部分可以不被第二钝化层覆盖，第一和第二钝
化层的组合厚度可以大于平台厚度。而且，第一钝化层的厚度可以大于平台厚度。
半导体器件也可以包括位于没有第一和第二钝化层的平台表面的部分之上的接触层
和位于接触层之上的金属层，其中，金属层在与衬底相对的第二钝化层的至少部分
上延伸。而且，金属层和接触层包括不同的材料。第一钝化层的部分可以在与衬底
相对的接触层表面的部分上延伸，或者，接触层的部分可以在与衬底相对的第一和
/或第二钝化层中的至少一个的部分上延伸。
第一钝化层的第一材料可以包括氧化铝，且第二钝化层的第二材料可以包括氮化硅。
另外，半导体结构可以包括P型层和N型层，其中，P型层和/或N型层的至少部
分包括在平台中。而且，第一和第二钝化层可以相邻于没有第一和第二钝化层的平
台表面的至少部分定义阶梯式轮廓。
根据本发明的另一个实施例，半导体器件可以包括衬底上的半导体结构，其中，半
导体结构定义了具有平台表面和位于平台表面和衬底之间的平台侧壁的平台。该半
导体器件还包括平台侧壁上和相邻于平台侧壁的衬底上的钝化层。特别是，钝化层
中可以具有通孔，使得平台表面至少部分没有钝化层，其中，通孔定义了阶梯式轮
廓使得通孔的第一部分具有第一宽度，通孔的第二部分具有不同于第一宽度的第二
宽度。
阶梯式轮廓可以包括位于通孔的具有第一和第二宽度的第一和第二部分之间的台阶
区域，且该台阶部分可以和衬底基本平行。此外，通孔的具有第一宽度的第一部分
可以位于通孔的具有第二宽度的第二部分和平台表面之间，且第二宽度可以大于第
一宽度。
钝化层可以包括由第一材料形成的第一层和由不同于第一材料的第二材料形成的第
二层，通孔的第一部分穿透第一层的至少部分，且通孔的第二部分穿透第二层的至
少部分。第一钝化层的厚度大于平台厚度，第一钝化层的第一材料可包括氧化铝，
且第二钝化层的第二材料可包括氮化硅。
该半导体器件也可以包括位于没有第一和第二钝化层的平台表面的部分之上的接触
层，以及位于接触层之上和钝化层的至少部分上的金属层，接触层和金属层可包括
不同的材料。钝化层的部分可以延伸到与衬底相对的接触层的部分上，或者，接触
层可以延伸到与衬底相对的钝化层的至少部分上。另外，该半导体结构可以包括P
型层和N型层，其中，P型层和/或N型层的至少部分包括在平台中。
附图说明
图1的剖面图阐述了根据本发明实施例的半导体器件。
图2A-2D的剖面图阐述了根据本发明的实施例的半导体器件的形成步骤。
图3是根据本发明的实施例的半导体器件的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图4的剖面图示出了根据本发明的另外实施例的半导体器件。
图5A-5D的剖面图阐述了根据本发明的另外实施例的半导体器件的形成步骤。
具体实施方式 现在参照附图更加全面地描述本发明，附图中示出了本发明的优选实施例。然而， 本发明可以以不同的形式实施，不应限制于这里提出的实施例。更合适的说法是， 提供这些实施例是为了使该公开全面而彻底，并向本领域技术人员完整地传达本发 明的范围。附图中，为清楚起见，层的厚度和区域被放大。应当理解，当一层被称 为在另一层或衬底“之上”时，该层可以直接在另一层或衬底之上，也可以有插入层。 也应当理解，当一个元件被称为与另一个元件“耦合”或“连接”时，它可以是直接与 其它元件耦合或连接，也可以存在插入元件。相同的数字始终指示相同的元件。而 且，这里使用例如“垂直”或“水平”的相对术语以描述与图示的衬底或基层的关系。 应当理解这些术语意图包括除了图中指示的方向外的器件的不同方向。 III-V族材料(例如III族氮化物材料)通过掺入例如镁的P型杂质可以制成P型。然 而，P型氮化物半导体具有相对低的载流子激活率和相对低的载流子迁移率。相应 地，P型氮化物半导体材料具有相对高的电阻率。因为激光二极管需要相对高的电 流水平以提供激射条件，所以P型氮化物材料的欧姆接触覆盖尽可能多的表面区 域是有益处的。 激光二极管的制作包括在半导体材料的外延层中刻蚀平台条纹。因为平台条纹相对 较窄(大约2um宽)，平台条纹可能不具有高度的机械稳定性，在例如棒涂敷 (bar coating)、管芯连接、晶片键合等的后续制造步骤中，平台条纹可能容易损坏。 可以在半导体材料和/或衬底的沟槽内形成平台条纹，沟槽的深度大于或等于平台 的高度以提供机械稳定性和/或保护。 如图1所示，根据本发明实施例的结构可以为半导体平台条纹提供机械保护。而且， 可以使用相对可重复和精确的步骤制备图1的结构。根据本发明的实施例，半导体 器件可包括衬底12、包括平台20的外延半导体结构14、第一钝化层30、第二钝 化层40、欧姆接触层26和27，以及金属覆盖层50。而且，外延半导体结构14可 包括例如III族氮化物化合物半导体材料的III-V族化合物半导体材料。欧姆接触层 26和27可分别包括例如镍、钛、铂和/或钯的金属层。金属覆盖层50可包括例如 镍、金、铂、钛、钨、钼、钽和/或钯的金属层。 一些实施例中，衬底12可以包括例如下述衬底材料：具有例如2H、4H、6H、8H、 15R和/或3C的多型的N型碳化硅；蓝宝石；氮化镓；和/或氮化铝。而且，衬底 12可以是导电的，以提供电流“垂直”流过外延半导体结构14和衬底12的“垂直”器 件。或者，衬底12可以是绝缘或半绝缘的，其中，两个欧姆接触位于衬底的同一 侧以提供“水平”器件。导电衬底也可用于“水平”器件。而且，术语衬底可以定义成 包括构成半导体结构14的半导体材料的未图形化的部分，且/或在衬底12和半导 体结构14之间可不存在材料过渡。 外延半导体结构14的部分可以被图形化成平台条纹，例如，以提供光学和/或电流 限制。如图所示，仅外延半导体结构14的一部分包括在平台20中。例如，外延半 导体结构14可以包括N型和P型层，N型和P型中的一个或者两个的部分可包括 在平台20中。根据特定的实施例，外延半导体结构14可包括与衬底12相邻的N 型层和与衬底12相对的N型层上的P型层。平台可以包括P型层的部分且不包括 N型层的任何部分、P型层的全部和N型层的部分(但不是全部)、或者P型和N型 层的全部(使得平台20的侧壁延伸到衬底12)。 如与本申请同时提交的美国申请No.___(代理人案号No.5308-281)中更加详细讨论 的，可以形成厚度均匀的外延半导体材料层，并且可以通过选择性刻蚀该外延半导 体材料形成平台20。而且，平台20的厚度可由用于形成平台的刻蚀的深度决定。 根据本发明的实施例，平台刻蚀深度(及产生的平台厚度)的范围在约0.1到5微米， 并且根据另外的实施例，不大于约2.5微米。另外，平台侧壁间的平台表面20A的 宽度的范围大约为1到3微米。如图1所示，可在平台表面20A的部分上形成欧 姆接触层26。而且，平台的表面部分可以是P型半导体材料。 第一钝化层30可以保护和绝缘包括平台20的外延半导体结构14。例如，第一钝 化层30可包括诸如二氧化硅、氮化硅、氧化铝、和/或其组合的绝缘材料层，并且 可以通过如下淀积技术形成第一钝化层30：例如等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)、低压化学气相淀积(LPCVD)、化学气相淀积(CVD)、溅射、和/或电子束 蒸发。而且，可以如下面申请中所述地制备第一钝化层：例如，与本申请同时提交 的美国申请No_____(代理人案号No.5308-280)和/或与本申请同时提交的美国申请 No.______(代理人案号No.5308-281)。这些申请的公开在此全部引用作为参考。 第二钝化层40，例如，可以包括诸如二氧化硅、氮化硅、氧化铝、和/或其组合的 绝缘材料层，可以通过如下淀积技术形成第二钝化层，例如：等离子体增强化学气 相淀积(PECVD)、低压化学气相淀积(LPCVD)、化学气相淀积(CVD)、溅射、和/或 电子束蒸发。根据本发明的特定实施例，第一钝化层可由第一材料形成，第二钝化 层可由不同于第一材料的第二材料形成。相应地，第一钝化层可以根据第二钝化层 提供针对一种或多种刻蚀化学物质的刻蚀选择性。换句话说，与第一钝化层相比， 第二钝化层40对于某些化学物质更为敏感，使得可以在第二钝化层中形成通孔42 而未明显地刻蚀第一钝化层。根据特定实施例，第二钝化层40可以包括氮化硅层， 且第一钝化层30可以包括氧化铝层。 一些实施例中，第二钝化层40足够厚使得与衬底相对的第二钝化层的表面基本上 高于相对于衬底的平台20的顶面20B。备选地，第一和第二钝化层30和40的组 合厚度可以比平台20的厚度大出足以为平台20提供机械稳定性和保护的程度。根 据特定实施例，第一钝化层的厚度范围大约为0.1到2微米，第二钝化层40的厚 度范围大约为0.1到5微米。 可以在形成第一和/或第二钝化层30和40中的任一个之前或之后，在平台表面 20B上形成欧姆接触26。欧姆接触层26可延伸跨越位于平台侧壁20A之间的平台 表面20B的基本上全部的宽度，且/或第一钝化层30的部分可以在与衬底相对的欧 姆接触层26的部分上延伸。备选地，第一钝化层30的部分可以直接在平台表面上 延伸，且/或欧姆接触层的部分可以在与平台表面20B相对的第一钝化层30的部分 上延伸。 穿过第二钝化层40的通路42可以暴露欧姆接触层26的部分和与欧姆接触层26相 邻的第一钝化层30的部分。金属覆盖层50可延伸跨越第二钝化层40、第一钝化 层30的暴露部分、和/或欧姆接触层26的暴露的部分。相应地，金属覆盖层50可 以通过通路42接触欧姆接触26。金属覆盖层50可以包括例如镍、金、铂、钛、 钨、钼、钽、钯、和/或其组合的金属层。 另外，通路42的宽度可以大于平台表面20B的宽度，使得通路42的侧壁与平台 侧壁20A空间分离。根据特定的实施例，通路42的宽度范围为约5到15微米。 相应地，施加到钝化层40表面的应力和/或压力可以指向远离平台20的方向。而 且，被通路42暴露的钝化层30的部分和平台20可以通过周围的第二钝化层40屏 蔽外部应力。 根据本发明的特定实施例，半导体器件可以包括例如外延半导体结构14的半导体 结构，其定义具有与衬底12相对的平台表面20B和(位于平台表面20B与衬底12 之间的)平台侧壁20A的平台20。在平台侧壁20A的至少部分上和与平台侧壁20A 相邻的衬底12上形成第一钝化层30，其中平台表面20B的至少一部分没有第一钝 化层30。在第一钝化层30上提供第二钝化层40，其中，平台表面20B的至少一 部分没有第二钝化层40。而且，第一和第二钝化层可以包括不同材料。另外，可 以在第二钝化层40上、不被第二钝化层40覆盖的第一钝化层30的部分上、和没 有第一和第二钝化层的平台表面20B的部分上提供金属覆盖层。可以在金属覆盖 层50和平台表面20B之间提供欧姆接触层26，并且欧姆接触层26和金属覆盖层 50可以包括不同材料。 根据本发明的另外的实施例，半导体器件可以包括衬底12上的半导体结构14，半 导体结构14定义平台表面20B和(位于平台表面20B与衬底12之间的)平台侧壁 20A。可以在平台侧壁20A上和与平台侧壁20A相邻的衬底12上形成钝化层，该 钝化层中具有通路，使得平台表面的至少一部分没有钝化层。更为特别地，钝化层 中的通路可以定义阶梯式轮廓使得通孔的第一部分V1具有第一宽度 W1，通孔的第二部分V2具有不同于第一宽度 W1的第二宽度W2。另外，通孔可以包括位于通孔的第一 和第二部分之间的台阶区域P，并且台阶区域P可以和衬底12基本平行。更为具 体地，第二宽度W2可以大于第一宽度W1。另外，第二 宽度W2可以大于平台表面20B的宽度，且第一宽度W1 可小于平台表面20B的宽度。根据一些实施例，钝化层可以包括图形化以提供阶 梯式轮廓的一种材料的层。备选地，钝化层可以包括由不同材料形成的第一和第二 钝化层30和40，使得第二钝化层40可以相对于第一钝化层30被选择性刻蚀。 制备根据本发明实施例的半导体器件的方法见图2A-2D。具体地，可以在衬底12 上形成外延半导体结构14，外延半导体结构14包括具有平台侧壁20A和平台表面 20B的平台20。可以通过形成厚度均匀的外延半导体层，然后选择性去除该外延 半导体层的部分以形成平台20，从而形成外延半导体结构14。外延半导体层的部 分可以使用湿法蚀刻或例如反应离子刻蚀(RIE)、电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀、 和/或感应耦合等离子体(ICP)刻蚀的干法刻蚀选择性地去除。例如，可以在氩气环 境使用氯气(Cl2)刻蚀剂，使用干法刻蚀图形化平台20。更特别地，在 压力范围大约为5到50mTorr，射频功率范围大约为200到1000w，RIE反应器内 氩气(Ar)流量范围为大约2到40sccm，氯气(Cl2)流量范围为大约5到 50sccm的条件下进行干法刻蚀。虽然作为例子提供了特定的刻蚀条件，也可使用 其它的刻蚀条件。 如图所示，仅外延半导体结构14的部分包括在平台20中。备选地，所有外延半导 体结构14可以包括在平台20中，使得平台侧壁20A可以延伸到衬底12。外延半 导体结构14可以包括衬底上的N型层和与衬底相对的N型层上的P型层。平台 20可以包括N型层的部分且不包括P型层的任何部分、N型层的全部和P型层的 部分(但不是全部)、或者P型和N型层的全部(使得平台20的侧壁延伸到衬底12)。 外延半导体结构14还包括位于N型和P型层之间的有源层。有源层可以包括多个 不同的结构和/或层和/或它们的组合。有源层，例如，可以包括单量子阱或多量子 阱、双异质结构、和/或超晶格。有源层还可以包括在器件中促进激射行为的光和/ 或电流限制层。 可以在平台20的侧壁20A上和毗邻平台侧壁20A的衬底12的部分上形成第一钝 化层30。如图所示，如果平台侧壁20A不延伸到衬底12，则在第一钝化层30和 相邻于平台侧壁20A的衬底之间保留半导体结构14的部分。第一钝化层30可以 是例如氮化硅、二氧化硅、氧化铝、和/或其组合的绝缘材料的层或者多个子层。 而且，可以使用例如等离子体增强化学气相淀积、低压化学气相淀积、化学气相淀 积、溅射、电子束蒸发、和/或其组合的淀积技术获得第一钝化层30。根据特定的 实施例，第一钝化层30可以是氧化铝层，第一钝化层30的厚度范围大约为0.1到 2微米。 第一钝化层30中可以包括通路32以提供与平台表面20B的电学接触。例如，可 以根据与本申请同时提交的美国专利申请No.____(代理人案号No.5308-281)和与本 申请同时提交的美国专利申请No.______(代理人案号No.5308-280)中描述的步骤形 成通路32。例如，可以在平台表面20B上形成钝化层30，然后使用光刻图形化钝 化层30以形成暴露部分平台表面的通路32，在形成通路32后，可以在平台表面 暴露的部分上形成欧姆接触层(形成第二钝化层之前或之后均可)。备选地，在形成 钝化层之前可以在平台表面上形成欧姆接触层，可以在欧姆接触层上形成钝化层， 可以去除欧姆接触层上的钝化层的部分。在另一个备选方案中，可以在平台表面上 形成欧姆接触层，在形成第一钝化层时保留用来图形化欧姆接触层的掩模。去除掩 模和掩模上的钝化层的部分，进而暴露了欧姆接触层的部分，而不需要单独的掩模。 如图2B所示，可以在第一钝化层30之上形成第二钝化层40。第二钝化层40可以 包括绝缘材料(例如氮化硅，二氧化硅，和/或氧化铝)的层或者多个子层，可以使用 例如等离子体增强化学气相淀积、低压化学气相淀积、化学气相淀积、溅射、电子 束蒸发、和/或其组合的淀积技术获得第二钝化层。 第一钝化层30可以包括第一材料，第二钝化层40可以包括不同于第一材料的第二 材料。相应地，可以选择刻蚀剂，使得形成穿透第二钝化层40的通路时，可以在 不显著刻蚀第一钝化层30情况下刻蚀第二钝化层40。根据特定实施例，第一钝化 层30可以包括氧化铝层，第二钝化层40可以包括氮化硅层。相应地，可以刻蚀穿 透第二钝化层40形成通孔以暴露第一钝化层的部分，而不显著刻蚀第二钝化层。 如图2C所示，(采用例如光刻的方法)通过掩蔽第二钝化层的待保留部分并刻蚀第 二钝化层的暴露部分，可以在第二钝化层40中打开通道42。如果穿透第一钝化层 20的通路已经预先形成，通路42可以暴露平台表面20B的部分而不需要更多的步 骤。备选地，可以在形成穿透第二钝化层40的通路42之后形成穿透第一钝化层 30的通路。 根据特定的实施例，通过掩蔽第二钝化层的部分并使用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀第 二钝化层的暴露部分，可以在第二钝化层中形成通路42。更为特别地，可以使用 例如NF2和/或CHF3的氟基刻蚀剂执行RIE刻蚀，该刻蚀 剂可以相对于氧化铝选择性刻蚀氮化硅。可以使用其它的刻蚀化学物质，只要该刻 蚀化学物质在刻蚀第一钝化层材料和刻蚀第二钝化层材料时具有选择性即可。基于 NF2和/或CHF3的刻蚀化学物质，例如可以以比氧化铝高 得多的速率选择性刻蚀氮化硅。相应地，在刻蚀穿透氮化硅第二钝化层40的通路 42时，氧化铝第一钝化层30可以有效地用作刻蚀停止层。 一旦平台表面20B和第一钝化层的部分被通路42暴露，就可以在平台表面20B的 暴露部分形成欧姆接触26，如图2D所示。备选地，可以在形成第一钝化层20B 之前形成欧姆接触层，或者在形成第一和第二钝化层30和40之间形成欧姆接触层。 可以在第二钝化层40上、第一钝化层30在通路中的暴露部分上、通路中欧姆接触 层26上形成金属覆盖层50。根据一些实施例，欧姆接触层和金属覆盖层可以包括 各自的相同的或不同金属的层。备选地，不需要单独的欧姆接触层，使得直接在平 台表面20B的暴露部分之上形成金属覆盖层。 可以与半导体结构14相对在衬底12上形成第二欧姆接触层27以提供欧姆接触26 和27之间的“垂直”电流路径。虽然所示的欧姆接触层27在图形化第一和第二钝化 层30和40之后形成，但欧姆接触层27可以在制造的更早步骤中形成。而且，第 二接触层27可以在和第一接触层26相同的衬底12的一侧上形成，从而提供“水平” 电流。 根据本发明的实施例，第一钝化层30可以为半导体平台20的侧壁20A提供保护 和/或绝缘，可以通过第一钝化层30暴露半导体平台的表面20B以提供相对精确的 图形。换句话说，可以在第一钝化层30中形成宽度小于平台表面表面20B宽度的 图形，以暴露平台表面20B的部分和/或其上的欧姆接触层26。可以在第一钝化层 30上形成第二钝化层40，并且可以以相对不精确的图形对第二钝化层40图形化， 以暴露平台表面20B和/或其上的欧姆接触层26，并暴露与平台表面20B相邻的第 一钝化层30的部分。换种说法，第二钝化层40的图形的宽度显著大于平台表面 20B的宽度。相应地，第二钝化层40为平台20提供保护，而不需要图形化第二钝 化层40时的精确对准。 图3是根据本发明实施例的结构的扫描电镜(SEM)显微照片。更具体地，图3是根 据本发明的实施例的激光二极管结构的显微照片，其包括碳化硅衬底112和包括 III族氮化物化合物半导体材料的外延半导体结构114。半导体结构114的部分已经 图形化成平台120，可以提供光学和/或电流限制。在与衬底112相对的平台120的 表面上提供欧姆接触层126。氧化铝的第一钝化层130可以保护和/或隔离外延半导 体结构114的表面。在第一钝化层130之上提供氮化硅的第二钝化层140。穿透第 二钝化层140的通路142暴露欧姆接触层126的部分，金属覆盖层150通过通路 142提供与欧姆接触层的电接触。 图4的剖面图示出了根据本发明的另外的实施例的结构。如图所示，该结构可以包 括衬底212、半导体结构214、欧姆接触层226、以及在半导体结构上和欧姆接触 层226的部分上的第一钝化层230。更具体地，半导体结构214可以包括具有平台 侧壁220A和平台表面220B的平台220，并且欧姆接触层226可以包括侧壁226A 和接触表面226B。图4中阐述的实施例中，可以在形成钝化层230之前形成欧姆 接触层226，使得第一钝化层230的部分在欧姆接触层226的部分上延伸。 在第一钝化层上提供第二钝化层240，第二钝化层240中的通路242暴露欧姆接触 层226的接触表面和相邻于欧姆接触层226的第一钝化层230的部分。第二钝化层 240中通路242的宽度显著大大于平台表面220B的宽度。另外，可以在第二钝化 层240上、第一钝化层230的暴露部分上、以及欧姆接触层226的接触表面226B 上提供金属覆盖层250。另外，可以在与平台220相对的衬底212上提供欧姆接触 层227。 半导体结构214可以包括例如III族氮化合物半导体材料的III-V族化合物半导体材 料。而且，半导体结构214可以包括衬底上的N型层和与衬底212相对的N型层 上的P型层。另外，平台220可以包括P型层并且不包括N型层的任何部分；P型 层的全部和N型层的部分(但不是全部)；或者全部的P型层和N型层(使得侧壁 220A延伸到衬底212)。 一些实施例中，衬底212可以包括如下衬底材料，例如：具有例如2H、4H、6H、 8H、15R和/或3C的多型的N型碳化硅、蓝宝石、氮化镓、和/或氮化铝。而且， 衬底212可以是导电的以提供电流“垂直”流过外延半导体结构214和衬底212的 “垂直”器件。备选地，衬底212可以是绝缘或半绝缘的，其中，欧姆接触在衬底的 同一面以提供“水平”器件。导电衬底也可用于“水平”器件。而且，术语衬底可以被 定义成包括构成半导体结构214的半导体材料的未图形化的部分，且/或在衬底212 和半导体结构214之间可以没有材料过渡。 图5A-D的剖面图示出了形成图4所示结构的步骤。如图5A所示，可以在衬底 212上形成包括平台220的半导体结构214，可以在平台的表面220B上形成欧姆 接触层226。然后，可以在平台220的侧壁220A上、与平台侧壁220A相邻的衬 底的部分上、和在欧姆接触层226的部分上形成钝化层230。如图5A中所示，钝 化层230可以延伸到与平台侧壁220A相邻的斜侧壁226A的部分上，而接触表面 226B和相邻于接触表面226B的斜侧壁226A的部分保持不被钝化层230覆盖。备 选地，钝化层230的部分可以延伸到与衬底平行的欧姆接接触层的表面部分。 例如，可以使用诸如在美国申请No._____(代理人案号No.5308-281)中所述的单个 图形化步骤形成例如平台表面220和欧姆接触层226。更具体地，可以形成厚度均 匀的半导体层，可以在厚度均匀的半导体层上形成接触金属层，并且可以在接触金 属层上形成掩模。然后，可以使用单个掩模刻蚀接触金属层和半导体层以形成欧姆 接触层226和平台220。而且，在形成第一钝化层230时可以保留掩模，掩模和掩 模上的第一钝化层的部分可以去除，以暴露欧姆接触层的接触表面226B。相应地， 单个掩模可以提供欧姆接触层和平台表面的对准，且该单个掩模可以提供穿透钝化 层的“通路”暴露欧姆接触层226的接触表面226A时的对准。 备选地，可以使用分开的掩蔽操作对欧姆接触层226和/或钝化层230图形化。例 如，可以使用第一掩模图形化平台220和欧姆接触层226，可以使用第二掩模图像 钝化层中的通路。另一备选方案中，可以使用第一掩模图形化平台220，使用第二 掩模图形化欧姆接触层226，并且使用第三掩模图形化钝化层230中的通路。 如图5B所示，可以在第一钝化层230上和欧姆接触层226的暴露的部分上形成第 二钝化层240。第一和第二钝化层230和240均包括隔离材料的层，隔离材料为例 如氮化硅、二氧化硅、和/或氧化铝。而且，第一和第二钝化层230和240可分别 包括不同材料，使得可以使用相对于第一钝化层240为选择性的刻蚀化学物质刻蚀 第二钝化层230。例如，第一钝化层230可以包括氧化铝层，第二钝化层240可以 包括氮化硅层，氟基刻蚀化学物质可以用来刻蚀第二钝化层240，而不刻蚀第一钝 化层230。 如图5C所示，可以图形化第二钝化层240以暴露欧姆接触层226的接触表面226B， 并暴露与欧姆接触层226相邻的第一钝化层230的部分。钝化层240中的通路242 的宽度显著大于平台表面220B的宽度。更具体地，平台表面220A的宽度范围可 以为大约1到3微米，穿透钝化层的240的通路242的宽度范围可以为大约5到 15微米。相应地，在钝化层240中图形化通路242时不需要高度的精确度。如图 5D所示，可以在钝化层240上、第一钝化层230的暴露部分上、和欧姆接触层 226的暴露部分上形成金属覆盖层250。 根据本发明的实施例，第一钝化层可以提供相对精确半导体平台上欧姆接触层的曝 光(或半导体平台表面的曝光)和并为平台侧壁提供保护。由不同材料形成的第二钝 化层可以提供平台的结构保护，而对其图形化时不需要高精确度。 上面讨论的半导体器件可以提供边发射半导体激光器，其光沿着半导体平台条纹的 长度方向平行于衬底发射。换种说法，光可以沿着垂直于上述图的剖面部分的方向 发射。尽管参考形成例如激光二极管的发光器件方法讨论了备方法和器件，根据本 发明的实施例的方法可以用来形成其它半导体器件，例如常规二极管，常规发光二 极管或任何其它包括半导体平台的半导体器件。 参照优选实施例已经具体地示出和描述本发明，本领域技术人员应该知道可以进行 备种形式和细节的改变，而不偏离由所附权利要求书及其等效表述所定义的本发明 的精神和范围。
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